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中國兆元重金佈署半導體業 台灣業者如何藉勢與避禍
作者/楊勝帆,拓墣產業研究所 所長
台灣亞太產業分析專業協進會候補理事
台灣亞太產業分析專業協進會產業分析師

中國國務院發布的《國家積體電路產業發展推進綱要》,中國政府在延續前期的稅收優惠政策基礎之上,將扶持手段的重點放在IC產業發展基金上。中央和地方政府牽線成立多項IC產業發展基金,以國家財政資金扶持為引子,吸引國有和民間資本加入,為中國IC廠商提供發展所需的大量資金,以支持較大規模和較強實力的中國IC廠商擴張和發展。

表一 中國中央和部分地方政府IC產業發展基金一覽

中央層面

¡ 扶持基金總規模將達1,200億元人民幣(財政撥款300億元人民幣、社保基金450億元人民幣、其他450億元人民幣所組成,分別投入晶片製造(40%)、晶片設計(30%)及晶片封測(30%)。

¡ 該基金已在2014年6月落實,總規模要超過過去近10年整個中國積體電路產業的政府投入。

地方層面

¡ 北京:300億元人民幣股權投資基金。

¡ 天津:濱海新區每年投入2億元人民幣建積體電路設計示範區,清華紫光落戶天津空港,欲建產值超百億元人民幣積體電路產業園。

¡ 武漢:光谷5平方公里積體電路產業園將於2014年內開建,並將成立首個積體電路產業發展基金,預計規模300億元人民幣。

¡ 深圳:每年5億元人民幣支援軟體和積體電路設計。

¡ 陝西:省政府每年財政預算撥付3,000萬元人民幣扶持積體電路產業。

¡ 山東:正在研究制定推進積體電路產業加快發展的意見。

Source:拓墣產業研究所,2014/07


中國政府的IC產業發展基金將主要用於投資和併購整合優質中國IC廠商,中國政府下屬的投融資公司將利用新成立的產業基金,與中國IC廠商合作共同上新專案,或者直接併購中國IC廠商,並對旗下的IC廠商進行業務整合重組。

中國政府和國資財團的介入,將起到向中國IC廠商輸血的目的,而即將在2014下半年試投產的中芯國際二期項目就是這樣的典型,類似於此的案例此後還會不斷湧現。

表二 中國IC產業發展基金支持下的投資、併購和整合典型案例

投資典型案例

¡ 中芯國際二期項目:中芯國際與北京工業發展投資管理有限公司、中關村發展集團共同簽署合同,成立合資公司,建設中芯國際北京二期項目。中芯國際將支付註冊資本55%,合計6.6億美元;而中關村發展集團及北京工業發展投資管理有限公司則支付註冊資本45%,合計5.4億美元。

¡ 武漢新芯記憶體項目:東湖高新集團將與湖北省科投聯合出資,支持武漢新芯發展3D NAND Flash晶圓線專案,預計總投資超過150億美元。

併購整合案例

¡ 展訊及RDA併購案:清華紫光集團併購展訊公司,此外其收購要約已通過RDA董事會決議。RDA一旦被收歸紫光旗下,將與展訊進行業務重組,實現強強聯合。

¡ 瀾起併購案:上海浦東科投併購瀾起公司,並計畫與巨型央企中國電子合作,再併購1~2家在國外上市的中國IC公司,並加以整合。

¡ 中國電子資訊集團IC業務整合重組:中國電子計畫將中國華大、北京華虹、上海華虹的資產注入到一個統一的IC產業平台。此外,中國電子還會注入旗下軍用IC企業的民用產品部分到該平台。

Source:拓墣產業研究所,2014/07

一.    中國Foundry與國際大廠差距極大,中國政府計劃投入重金以實施趕超戰略

自台灣晶圓雙雄(台積電、聯電)成立以來,IC產業Fabless+Foundry模式誕生。經過20多年的發展,Fabless+Foundry模式已經逐步取代IDM模式成為IC產業的主流,而Foundry因其技術和資金的雙高門檻特性,成為IC產業發展的關鍵。

中國此次出台累計高達千億元人民幣級別的IC產業發展基金,其中一半以上的金額都會投給以中芯國際為代表的Foundry。中國政府重金扶持中國Foundry的發展,是絕對有必要且刻不容緩的事情。

Foundry對於整個IC產業的重要性及對中國IC設計業的嚴重制約自不必說,而中國Foundry相較於台積電等國際大廠的差距太大,投入又嚴重不足,僅靠企業的自身累積,連維持差距都困難,更遑論是縮小差距,不依靠中國政府資金扶持,連中國龍頭中芯國際都無法在Foundry這個燒錢的行業中贏得全球競爭,華力、新芯等廠商就更沒有機會。

表三 中芯國際與國際大廠在規模、技術、資金投入等方面的對比

2013年部分資料

Foundry

台積電

聯電

GlobalFoundries

中芯國際

營收(億美元)

198.5

39.5

42.6

19.7

8吋晶圓當月產能(千片)

1,490

630

520

240

45nm以下營收比重

51%

20%

-

16%

資本支出(億美元)

97.1

11.0

45.0

7.7

註1:45nm以下營收比重為2013年第四季資料。
註2:中國政府層面的資金投入不計入中芯國際資本支出。

Source:拓墣產業研究所,2014/10

由於嚴峻的現實,中國政府決定伸出援手,國家級1,200億元人民幣規模的IC產業發展基金掛牌在即,明確表示投入重點在先進IC製造業,並且這1,200億元人民幣還只是第一輪的基金而已。除國家級基金外,IC產業重點地區的地方基金也不可小覷。以北京市為例,已經批准成立300億元人民幣的IC產業發展基金,計劃每年100億元人民幣,累計投入3年。

根據行業發展規律,3年之後再度追加投資的可能性非常大,在這300億元人民幣中,中國政府規定70%以上要投給中芯國際,未來3年僅中芯國際從北京市IC產業發展基金獲得的資金就超過10億美元/年。

中芯國際在北京的第2期專案,第一階段規劃3.5萬片12吋晶圓月產能,投資預算36億美元,僅依靠北京一地的基金就能完全解決。除北京之外,上海和武漢也在謀劃數百億元人民幣的基金用於支援Foundry發展,中芯國際、華力、新芯是主要受益者;但有鑑於自身條件的不同,這幾家中國Foundry未來發展路線和產品布局也會有所差異。

二.    中芯國際有中國政府基金支援,又有Qualcomm的技術指導,外加產學研合作,未來將與聯電將會兩虎相爭

未來中芯國際的發展道路,必然是一條追趕台積電等國際大廠的道路,雖然追上台積電的製程節點很難,但至少要縮小差距,有中國政府基金的支援,中芯國際會加大先進邏輯製程技術的研發力度,並持續擴充高階產能。

目前中芯國際手握多個有利條件,正處於追趕國際大廠的最佳時期。自2012下半年以來,中芯國際經營狀況反轉向上,現金流較之前更加充沛,加上中國政府的IC產業發展基金,可以保證連續多年的大資金投入。如果中芯國際有進一步擴充高階產能的意願,未來3~5年平均每年投入超過20億美元,甚至更多金額是完全可以做到的。

表三 中芯國際憑藉巨額投資新增高階產能

數據

聯電

中芯國際

2013年營收(億美元)

39.5

19.7

未來5年累計投資(億美元)

60

110

未來5年新增12吋月產能(千片)

40

80

2019年預計營收(億美元)

46.9

49

2013~2019年營收複合年增長

3.5%

20%

Source:拓墣產業研究所,2014/10

除了資金充裕外,人才也成為中芯國際未來發展的有利條件。繼2011年人事動盪過後,中芯國際最高運營團隊已經到任超過3年,磨合良好,事實證明已形成相當強的戰鬥力,隨著中芯國際經營形勢好轉,又吸引大批出走人才回流及新人才的淨流入。發展高新技術,人才是關鍵,而中芯國際已成為半導體高階和基層優秀人才的嚮往之地。

Qualcomm的技術指導是中芯國際加速發展的外因,不論Qualcomm此舉是出於降低成本,還是表達與中國政府和解的積極態度,或是其他目的,確實是極大推動了中芯國際28nm製程技術的商業化進程。

在Qualcomm的幫助下,中芯國際28nm SiON和HKMG並舉,先在上海的Fab 8試產,待到2014年第四季北京新產線投產後,即可快速導入大規模量產。在接下來的20nm製程,中芯國際也有望得到Qualcomm技術和訂單的雙重支援。

有了與Qualcomm的深度合作在前,海思、展訊、全志等中國IC設計大廠也對在中芯國際投片充滿興趣。中國IC設計廠商每年先進邏輯晶片代工需求高達數10億美元,只要大環境基本面不發生惡化,中芯國際新增高階產能將不愁市場。

值得一提的還有中芯國際積極推動產學研合作模式,中芯國際與清華大學、北京大學、復旦大學、中科院微電子所等單位聯合成立積體電路先導技術研究院,借助中國著名科研院所提升自身的技術前瞻能力。通過企業與科研院所的雙向互動,中芯國際在半導體技術的先期基礎研究、先導技術科研成果轉化、高級技術人才培養方面獲益頗多。

圖二 中芯國際與高等研究院所的產學研合作模式

 

Source:拓墣產業研究所,2014/10

三.    TRI觀點

(一)    借勢:聯電掌握最佳時機點切入布局中國晶片內需市場

有別於之前補助的方式,改採基金運作的方式,對整體業界而言是正面的。可避免以往的直接補貼造成的價格血戰與惡意挖角。這對台灣相IC產業而言,已避開最壞的情況。

以半導體產業鏈來看,最上游的EDA、材料、設備的部分,為美日歐大廠所主導,有很強的專利保護形成進入障礙,沒有鉅額的併購或授權,中國很難在五年內佔有一席之地。可以預見,中國此波發展初期會帶動上游相關廠商發展,但台灣在這部分佈局不深,影響有限。

聯電的28nm製程與廈門12吋晶圓廠參股計劃相關,聯電過去致力加速28nm製程量產時程,第一原因是保持與對手的競爭力,另一原因與布局中國半導體市場有關。 此次計畫於廈門建立的12吋晶圓廠之製程技術為55nm與40nm,40nm低於28nm一個世代,符合台灣晶圓廠至中國併購或參股的技術規範,而聯電執行長顏博文曾表示,此投資目標主要考量就是要讓聯電可以在快速成長的中國半導體市場獲益,而目前中芯國際技術節點落在40nm,因此為確保所建的晶圓廠與中國本地晶圓廠有同樣競爭力,可推知聯電的廈門12吋晶圓廠參股計劃目標就是建立40nm製程的晶圓廠,而此計畫須配合28nm製程量產的時間點。

28nm製程的量產對聯電有相當重大的意義,不單是讓聯電獲得2015年28nm全球搶單競爭的門票,也替聯電在蘇州和艦8吋廠之後針對中國半導體內需市場布局正式拉開序幕。

(二)    避禍:面對資本帶來的大量低價與資源整合,智財與設計彈性,是台廠保有競爭力的關鍵

     IC設計方面,中國近年來與台灣的產值逐步接近。網通相關晶片是目前成長的主要動能,然而拼規格的智慧手機和平板的成長動力已在趨緩。此外,台灣Driver與觸控IC佔台灣IC設計比重約18%。在面板解析度規格收斂,差異化逐漸縮小,且大陸面板廠興起,這塊板塊勢必飄移。

而未來的物聯網所需的晶片可能是以多樣式的精簡晶片而非大量製造複雜功能強大的晶片,IC設計同時存在成熟產品線的整併與新的設計服務模式開發的發展趨勢。面對資本帶來的大量低價與資源整合,智財與設計彈性,是台廠保有競爭力的關鍵。

IC製造方面,目前IC製造即使是二線廠商,產能利用率也在高檔,僅靠資金吸引人才的誘因減弱。且IC的製程複雜度比TFT高,製程建立與良率改善也非短期內能有立竿見影的改善。目前18吋廠,與10nm node的量產性不明朗的情況下,除了高階製程開發,中國大陸合理會選擇將主要的投資壓放在擴建12吋新廠(USD 5~7B建廠成本)來提升IC自製率。新廠興建到生產需時一年半,建立該廠各式IP的生產資料庫也要1年。據此分析,影響既有產品線的時間約在3年後。目前中國佔fabless IC設計的比重約為15%,意味著有八成的市場對台灣IC製造商而言是fair game,影響有限。然而3年後若造成供需失衡,還是會陷入價格戰爭。


<本文刊登在2014年12月 產業雜誌>
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